최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Solid-state electronics, v.47 no.6, 2003년, pp.1021 - 1025
Lay, T.S. (Institute of Electro-Optical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) , Liao, Y.Y. (Institute of Electro-Optical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) , Liu, W.D. (Institute of Electro-Optical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) , Lai, Y.H. (Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu 300, Taiwan) , Hung, W.H. (Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu 300, Taiwan) , Kwo, J. (Agere Systems, Murray Hill, NJ 07974, USA) , Hong, M. (Agere Systems, Murray Hill, NJ 07974, USA) , Mannaerts, J.P. (Agere Systems, Murray Hill, NJ 07974, USA)
AbstractThe rapid thermal annealing effects on thin Pt/Y2O3/Si MOS capacitors have been investigated. After post-metallization annealing at 425 °C in 30 s, the Pt/Y2O3/Si capacitor shows a sharp capacitance–voltage swing of a low oxide charge density ∼7.7×1010 cm−2...
MRS Bull. Wallace 27 192 2002 10.1557/mrs2002.70
J. Appl. Phys. Kwo 89 3920 2001 10.1063/1.1352688
Nicollian 1982 MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology
Solid-State Electron. Lay 45 423 2001 10.1016/S0038-1101(01)00049-1
IEEE Trans. Electron Dev. Yang 46 1500 1999 10.1109/16.772500
Solid-State Electron. Koukab 41 635 1997 10.1016/S0038-1101(96)00112-8
Appl. Phys. Lett. Stemmer 79 104 2001
Huheey 1983 Inorganic chemistry
Appl. Phys. Lett. Asuha 80 4175 2002 10.1063/1.1482147
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.