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제안 방법
- 사하였다. Buffer layer는 2단계 공정으토 낮흔 은도에서 박막증착과 RTA 처리를 하여 제작하였다. 레우 햐게 Y 금속을 먼저 Si 기판위에 증착함으로쎄 buffer 층과 Si 기판사이에서의 SiCg충의 생성을 효라적으로 억제하였다.
- 그림 1. Employed experimental procedure of this paper.
- Si 기판표면을 BHF(49%HF:H2O = l:10) 용액에 초동안 담가서 ohmic contact 처리 종에 형성된 기판위의 산화막을 제거한 후 Y2O3플 증착하여였다. Target 을 지름이 2-inch^l Y 금속을 사용한 13.56 MHZ rfmagnetronsputtering 시스템으로 10-6 torr까지 초기 진공을 잡은 후 reactive rf magnetrdn sputtring법으로 Y2O3박막을 증착하였다. Y2O3 buffer layer를 증착하기 이전에 buffer layer외 형성을 촉진시키기고 내부계면에 SiO2 층의 형성을 막기위해서 산소를 흐급하지 않은 상태에서 50A정도의 Y 금속을 먼저 증착한 후, 산소를 공금하면서 sputtring법으로 Y2O3룔 증착하였다.
- XRD(X-ray diffractormeter)를 이용하여 Y2O3박막의 결정성을 조사항였으며, 누섵전류, 파괴전압을 Keithey 617 multimeter와 Fluke 5100B voltage source를 사용하여 측정하였다. 3 툭성을 조사하기위해 Booton 7200 C-V meter를 사용하고 1MHz에서 측정하였다.
- 56 MHZ rfmagnetronsputtering 시스템으로 10-6 torr까지 초기 진공을 잡은 후 reactive rf magnetrdn sputtring법으로 Y2O3박막을 증착하였다. Y2O3 buffer layer를 증착하기 이전에 buffer layer외 형성을 촉진시키기고 내부계면에 SiO2 층의 형성을 막기위해서 산소를 흐급하지 않은 상태에서 50A정도의 Y 금속을 먼저 증착한 후, 산소를 공금하면서 sputtring법으로 Y2O3룔 증착하였다. Y2O3 buffer layer의 공정매개변수로서 기판온도, 산소분압, 후열처리 온도 등을 가변하여 조사하였다.
- Y2O3 buffer layer를 증착하기 이전에 buffer layer외 형성을 촉진시키기고 내부계면에 SiO2 층의 형성을 막기위해서 산소를 흐급하지 않은 상태에서 50A정도의 Y 금속을 먼저 증착한 후, 산소를 공금하면서 sputtring법으로 Y2O3룔 증착하였다. Y2O3 buffer layer의 공정매개변수로서 기판온도, 산소분압, 후열처리 온도 등을 가변하여 조사하였다.
- Y2O3 결정성 개선을 위해서 RTACrapid thermal annealing)를이용하여 산소분위기에서 700℃-900℃ 에서 120sec 동안 후열처리를 하였다. XRD(X-ray diffractormeter)를 이용하여 Y2O3박막의 결정성을 조사항였으며, 누섵전류, 파괴전압을 Keithey 617 multimeter와 Fluke 5100B voltage source를 사용하여 측정하였다.
- Y2O3와 Si 기판사이에 SiO2층의 존재를 조사하기 위해서 AES (Auger electron spectroscopy)를 측정하였다. 그림 6은 증착온도 40DC에서 증착하고 900℃에서 후열처리한 Y2O3박막의 깊이에 따론 측편을 보여주고있다.
- 양질의 계면성질을 얻으면서 Silicide 형성을 파하고자 Y2O3 박막을 400℃이하에서 종착하였다.그리고 나서 RTA(rapid thermal anneal)를 사용하여 700℃〜900℃에서 후 열처리를 하였다.
- 사용하였다. 기판의 유기물 제거률 위하여 아세톤, 메탄올 그리고 탈이온수 (D.I water)로 세척하였다. 하부전극으로 A1 기판 뒷면을 증착한 후 ohmic contact 형성을 위하여 550C에서 30분 등안 2.
- 레우 햐게 Y 금속을 먼저 Si 기판위에 증착함으로쎄 buffer 층과 Si 기판사이에서의 SiCg충의 생성을 효라적으로 억제하였다. 또한 RTA 처리를 함으로써, Y2O3박팍의 10-7A/cm2 정도의 누설잔류와 8.72×1010cm-1eV-1외 Dit값을 향상시켰다.400C정도의 기판온도나 20%의 산소분합예서는 Y2O3박막은 monoclinic 상이 사라겼고 cubic상이 지배적이였다.
- Buffer layer는 2단계 공정으토 낮흔 은도에서 박막증착과 RTA 처리를 하여 제작하였다. 레우 햐게 Y 금속을 먼저 Si 기판위에 증착함으로쎄 buffer 층과 Si 기판사이에서의 SiCg충의 생성을 효라적으로 억제하였다. 또한 RTA 처리를 함으로써, Y2O3박팍의 10-7A/cm2 정도의 누설잔류와 8.
- 몬 논문에서는 mfis 구조의 강유전체 토밴치스터용 buffer layer로서의 Y2O3 박막의 가능성을 조사하였다. Buffer layer는 2단계 공정으토 낮흔 은도에서 박막증착과 RTA 처리를 하여 제작하였다.
- I water)로 세척하였다. 하부전극으로 A1 기판 뒷면을 증착한 후 ohmic contact 형성을 위하여 550C에서 30분 등안 2.51pm 비율로 질소가스를 공급하여 열처리하였다. Si 기판표면을 BHF(49%HF:H2O = l:10) 용액에 초동안 담가서 ohmic contact 처리 종에 형성된 기판위의 산화막을 제거한 후 Y2O3플 증착하여였다.
대상 데이터
- 본 실험에서는 20-40 Q-em인 저항을 갗는 P-type Si(100)읊 사용하였다. 기판의 유기물 제거률 위하여 아세톤, 메탄올 그리고 탈이온수 (D.
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