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NTIS 바로가기Electronics letters, v.18 no.13, 1982년, pp.545 - 546
Rosencher, E. (Centre National d'Etudes des T�) , Bois, D. (l�)
Interface state impedance has been theoretically predicted to introduce spurious detailed structures in the trap density curves when determined by high-frequency C/V measurements (Terman method). This is experimentally demonstrated on irradiated MOS structures. Terman analysis of these MOS capacitor...
Terman 5 285 1962
Winokur NS-27 1647 1980
Lubsenz ED-28 546 1981
Yamaguchi 7 290 1982
Rosencher 40 601 1982
Gwyn 40 4886 1969
Declerk, G.: Zemel, Jay, Nondestructive evaluation of semiconductor material and devices, (NATO Adv. Study, Jay Zemel, Ed. 1979), p. 105-148
Proc. Conf. physics of SiO Johnson 421 1978
Yamasaki 18 113 1979
Nicollian 46 1055 1967
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