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NTIS 바로가기Journal of applied physics, v.45 no.1, 1974년, pp.341 - 344
Baccarani, G. (Istituto di Elettronica Facoltà) , Calzolari, P. U. (di Ingegneria, Università) , Graffi, S. (di Bologna, Bologna, Italy)
A theoretical treatment of the current transport in MSM devices is presented. It is based upon the application of the thermionic diffusion theory to both junctions and makes it possible to relate the current density to the total voltage applied to the device by a single expression valid for any volt...
Bell Syst. Tech. J. 50 1695 1971 10.1002/j.1538-7305.1971.tb02577.x
Solid-State Electron. 14 1209 1971 10.1016/0038-1101(71)90109-2
Solid-State Electron. 13 1011 1970 10.1016/0038-1101(70)90098-5
Z. Phys. 138 598 1954 10.1007/BF01333528
Solid-State Electron. 9 1035 1966 10.1016/0038-1101(66)90127-4
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