[논문]Modeling of nanoscale gate-all-around MOSFETs

Jimenez, D.; Saenz, J.J.; Iniguez, B.; Sune, J.; Marsal, L.F.; Pallares, J.

doi:10.1109/LED.2004.826526

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[해외논문] Modeling of nanoscale gate-all-around MOSFETs

IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, v.25 no.5, 2004년, pp.314 - 316

Jimenez, D. (Dept. d'Enginyeria Electron., Univ. Autonoma de Barcelona, Spain) , Saenz, J.J. , Iniguez, B. , Sune, J. , Marsal, L.F. , Pallares, J.

Abstract

We present a compact physics-based model for the nanoscale gate-all-around MOSFET working in the ballistic limit. The current through the device is obtained by means of the Landauer approach, being the barrier height the key parameter in the model. The exact solution of the Poisson's equation is obtained in order to deal with all the operation regions tracing properly the transitions between them.

참고문헌 (9)

Jiménez, D., Sáenz, J. J., Iñı́quez, B., Suñé, J., Marsal, L. F., Pallarès, J.. Unified compact model for the ballistic quantum wire and quantum well metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor. Journal of applied physics, vol.94, no.2, 1061-1068.

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Natori, Kenji. Ballistic metal-oxide-semiconductor field effect transistor. Journal of applied physics, vol.76, no.8, 4879-4890.

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Proc Int Conf Modeling and Simulation of Microsystems a comparative study of double-gate and surrounding-gate mosfets in strong inversion and accumulation using an analytical model chen 2001 546
Proc ESSDERC Conf 2003 compact modeling of nanoscale mosfet's in the ballistic limit jiménez jimenez 0 187
The Physics of Low-Dimensional Semiconductors davies 1998
Chambré, P. L.. On the Solution of the Poisson-Boltzmann Equation with Application to the Theory of Thermal Explosions. The Journal of chemical physics, vol.20, no.11, 1795-1797.

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Wong, H.-S. P.. Beyond the conventional transistor. IBM journal of research and development, vol.46, no.2, 133-168.

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Je, Minkyu, Han, Sangyeon, Kim, Ilgweon, Shin, Hyungcheol. A silicon quantum wire transistor with one-dimensional subband effects. Solid-state electronics, vol.44, no.12, 2207-2212.

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Park, Jong-Tae, Colinge, J.-P.. Multiple-gate SOI MOSFETs: device design guidelines. IEEE transactions on electron devices, vol.49, no.12, 2222-2229.

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