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Effect of AlN buffer layer deposition conditions on the properties of GaN layer

Journal of crystal growth, v.205 no.1/2, 1999년, pp.20 - 24  

Ito, Takahiro (Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, Japan) ,  Ohtsuka, Kohji (Research and Development Division, Sanken Electric Co. Ltd., 3-6-3 Kitano, Niiza 352-8666, Japan) ,  Kuwahara, Kazuhiro (Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, Japan) ,  Sumiya, Masatomo (Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, Japan) ,  Takano, Yasushi (Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, Japan) ,  Fuke, Shunro (Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, Japan)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractThe effects of deposition conditions of AlN buffer layers upon the properties of the high-temperature GaN layers, such as crystallinity, surface morphology and polarity, were investigated. When the deposition temperature became high, the hexagonal-faceted surface morphology was observed, and...

주제어

참고문헌 (11)

  1. Jpn. J. Appl. Phys. Nakamura 34 L797 1995 10.1143/JJAP.34.L797 

  2. J. Crystal Growth Nakamura 189/190 820 1998 10.1016/S0022-0248(98)00302-9 

  3. Appl. Phys. Lett. Amano 48 353 1986 10.1063/1.96549 

  4. Jpn. J. Appl. Phys. Nakamura 30 L1705 1991 10.1143/JJAP.30.L1705 

  5. J. Crystal Growth Akasaki 98 209 1989 10.1016/0022-0248(89)90200-5 

  6. J. Appl. Phys. Kuznia 73 4700 1993 10.1063/1.354069 

  7. Jpn. J. Appl. Phys. Ito 38 649 1999 10.1143/JJAP.38.649 

  8. J. Crystal Growth Ambacher 167 1 1996 10.1016/0022-0248(96)00244-8 

  9. J. Appl. Phys. Lin 82 2378 1997 10.1063/1.366048 

  10. J. Appl. Phys. Fuke 83 764 1998 10.1063/1.366749 

  11. T. Ito, H. Teshigawara, K. Ohtsuka, K. Kuwahara, M. Sumiya, Y. Takano, S. Fuke, Proceedings of the 2nd International Symposium on Blue Laser and Light emitting Diodes, 1998, p. 178. 

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