선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
원문 URL 링크
- DOI : 10.1109/TNS.2004.839256
- IEEE : 저널
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
연합인증
연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.
이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.
연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.
한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.
다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)
연합인증 절차는 다음과 같습니다.
최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용
그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용
연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.
이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.
연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.
한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.
다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)
연합인증 절차는 다음과 같습니다.
최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용
그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용
연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
Total dose effects on double gate fully depleted SOI MOSFETs
IEEE transactions on nuclear science, v.51 no.6 pt.2, 2004년, pp.3767 - 3772
Jun, Bongim (Vanderbilt Univ., Nashville, TN, USA) , Xiong, H.D. , Sternberg, A.L. , Cirba, C.R. , Chen, Dakai , Schrimpf, R.D. , Fleetwood, D.M. , Schwank, J.R. , Cristoloveanu, S.
Abstract
Total ionizing dose effects on fully-depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) transistors are studied when the devices are operated in single gate (SG) and double gate (DG) mode. The devices exhibit superiority in mobility and drain current when operated in DG mode compared to SG mode. Moreover, the dc characteristics of DG operated device are less vulnerable to total dose radiation induced damage. In particular, radiation-induced interface traps have less electrical effect in DG mode operation.
참고문헌 (18)
-
Lawrence, R.K., Mrstik, B.J., Hughes, H.L., McMarr, P.J.. Dependence of radiation induced buried oxide charge on silicon-on-insulator fabrication technology. IEEE transactions on nuclear science, vol.43, no.6, 2639-2645.
-
Ancona, M. G., Tiersten, H. F.. Macroscopic physics of the silicon inversion layer. Physical review. B, Condensed matter, vol.35, no.15, 7959-7965.
-
Ancona, M. G., Iafrate, G. J.. Quantum correction to the equation of state of an electron gas in a semiconductor. Physical review. B, Condensed matter, vol.39, no.13, 9536-9540.
-
10.1109/SOI.2002.1044453
-
IEEE Trans Electron Devices threshold voltage of thin-film silicon-on-insulator (soi) mosfets kim 1983 10.1109/T-ED.1983.21282 30 1244
-
Ghibaudo, G.. New method for the extraction of MOSFET parameters. Electronics letters, vol.24, no.9, 543-545.
-
Proc IEEE SOS/SOI Workshop si-on- ${\rm sio}_{2}$ structures by lamp annealing of oxygen implanted si cellar 1986
-
10.1109/IEDM.2002.1175825
-
10.1109/ESSDERC.2003.1256829
-
Ernst, T., Cristoloveanu, S., Ghibaudo, G., Ouisse, T., Horiguchi, S., Ono, Y., Takahashi, Y., Murase, K.. Ultimately thin double-gate SOI MOSFETs. IEEE transactions on electron devices, vol.50, no.3, 830-838.
-
Balestra, F., Cristoloveanu, S., Benachir, M., Brini, J., Elewa, T.. Double-gate silicon-on-insulator transistor with volume inversion: A new device with greatly enhanced performance. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.8, no.9, 410-412.
-
Frontiers in Electronics From Materials to Systems int. j. of high speed electronics and systems cristoloveanu 2000 10 217
-
Omura, Y., Horiguchi, S., Tabe, M., Kishi, K.. Quantum-mechanical effects on the threshold voltage of ultrathin-SOI nMOSFETs. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.14, no.12, 569-571.
-
10.1109/SOI.2002.1044470
-
Proc 11th Int Symp Silicon on Insulator Technology and Devices total dose radiation hardness of double-gate ultra-thin soi mosfets cirba 2003
-
10.1007/978-1-4615-2245-4
-
Silicon-On-Insulator Technology Materials to VLSI colinge 1991 10.1007/978-1-4757-2121-8
-
10.1109/SOI.1996.552510
- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
- 문의처: helpdesk@kisti.re.kr
- 전화: 080-969-4114
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
섹션별 컨텐츠 바로가기
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.