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NTIS 바로가기Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, v.21 no.1/4, 1987년, pp.366 - 371
Benveniste, V.
Present day high current implanters are capable of delivering very high power densities to the wafers. Maintaining photoresist integrity during implantation is presently becoming a limiting factor, preventing the use of those machines to their full throughput capability.In the past, thermal conducti...
Report #76361-43 MIT Mikic 1966 The Effect of Surface Roughness And Waviness Upon The Overall Thermal Contact Resistance
Report #4542-41 MIT Mikic 1966 Thermal Contact Resistance
Rohsenow 1985
Burden 1981 Numerical Analysis
J. Vac. Sci. Technol. Parry 13 622 1976 10.1116/1.569046
Smith 196 1983 Ion Implantation Equipment and Techniques
Mack 221 1983 Wafer Cooling in Ion Implantation, Ion Implantation and Techniques
Glawishnig 354 1984 Ion Implantation System Concepts, Ion Implantation Science and Technology
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