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Fabrication of Coaxial Si 1−x Ge x Heterostructure Nanowires by O 2 Flow-Induced Bifurcate Reactions 원문보기
Nanoscale research letters, v.5 no.10, 2010년, pp.1535 - 1539
Kim, Ilsoo (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 120-749, Korea) , Lee, Ki-Young (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 120-749, Korea) , Kim, Ungkil (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 120-749, Korea) , Park, Yong-Hee (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 120-749, Korea) , Park, Tae-Eon (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 120-749, Korea) , Choi, Heon-Jin (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 120-749, Korea)
Abstract
AI-Helper
We report on bifurcate reactions on the surface of well-aligned Si1−xGex nanowires that enable fabrication of two different coaxial heterostructure nanowires. The Si1−xGex nanowires were grown in a chemical vapor transport process using SiCl4 gas and Ge powder as a source. After the gr...
주제어
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