$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Effect of DC Bias on the Plasma Properties in Remote Plasma Atomic Layer Deposition and Its Application to HfO[sub 2] Thin Films

Journal of the Electrochemical Society : JES, v.158 no.1, 2011년, pp.H21 -   

Kim, Hyungchul ,  Woo, Sanghyun ,  Lee, Jaesang ,  Kim, Yongchan ,  Lee, Hyerin ,  Choi, Ik-Jin ,  Kim, Young-Do ,  Chung, Chin-Wook ,  Jeon, Hyeongtag

초록이 없습니다.

참고문헌 (17)

  1. Ritala, Mikko, Kukli, Kaupo, Rahtu, Antti, Räisänen, Petri I., Leskelä, Markku, Sajavaara, Timo, Keinonen, Juhani. Atomic Layer Deposition of Oxide Thin Films with Metal Alkoxides as Oxygen Sources. Science, vol.288, no.5464, 319-321.

  2. 10.1016/B978-012512908-4/50005-9 M. Ritala and M. Leskela , in Handbook of Thin Film Materials , H. S. Nalwa , Editor, p. 103, Academic, San Diego (2002). 

  3. Gordon, R.G., Hausmann, D., Kim, E., Shepard, J.. A Kinetic Model for Step Coverage by Atomic Layer Deposition in Narrow Holes or Trenches. Chemical vapor deposition : CVD, vol.9, no.2, 73-78.

  4. Kingon, Angus I., Maria, Jon-Paul, Streiffer, S. K.. Alternative dielectrics to silicon dioxide for memory and logic devices. Nature, vol.406, no.6799, 1032-1038.

  5. Suntola, T.. Atomic layer epitaxy. Materials science reports, vol.4, no.5, 261-312.

  6. Jeon, Hyeongtag, Won, Youngdo. The reaction pathways of the oxygen plasma pulse in the hafnium oxide atomic layer deposition process. Applied physics letters, vol.93, no.12, 124104-.

  7. Jaime-Vasquez, M., Martinka, M., Stoltz, A.J., Jacobs, R.N., Benson, J.D., Almeida, L.A., Markunas, J.K.. Plasma-Cleaned InSb (112)B for Large-Area Epitaxy of HgCdTe Sensors. Journal of electronic materials, vol.37, no.9, 1247-1254.

  8. Kim, H., Jung, S.J., Han, Y.H., Lee, H.Y., Kim, J.N., Jang, D.S., Lee, J.J.. The effect of inductively coupled plasma treatment on the surface activation of polycarbonate substrate. Thin solid films, vol.516, no.11, 3530-3533.

  9. M. A. Liebermann and A. J. Lichtenberg , Principles of Plasma Discharges and Material Processing , John Wiley & Sons, New York (1994). 

  10. Tang, Deli, Chu, Paul K.. Current control for magnetized plasma in direct-current plasma-immersion ion implantation. Applied physics letters, vol.82, no.13, 2014-2016.

  11. 1044-677X J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. Olthoff 100 383 1995 10.6028/jres.100.029 

  12. Ohtsu, Y., Hino, Y., Misawa, T., Fujita, H., Yukimura, K., Akiyama, M.. Influence of ion-bombardment-energy on thin zirconium oxide films prepared by dual frequency oxygen plasma sputtering. Surface & coatings technology, vol.201, no.15, 6627-6630.

  13. Fountain, G. G., Hattangady, S. V., Rudder, R. A., Markunas, R. J., Lucovsky, G., Kim, S. S., Tsu, D. V.. Evidence for the occurrence of subcutaneous oxidation during low temperature remote plasma enhanced deposition of silicon dioxide films. Journal of vacuum science & technology. an official journal of the American Vacuum Society. A, Vacuum, surfaces, and films, vol.7, no.3, 576-580.

  14. Lucovsky, G., Kim, S. S., Tsu, D. V., Fountain, G. G., Markunas, R. J.. The effects of subcutaneous oxidation at the interfaces between elemental and compound semiconductors and SiO2 thin films deposited by remote plasma enhanced chemical vapor deposition. Journal of vacuum science & technology an official journal of the American Vacuum Society. B, Microelectronics processing and phenomena, vol.7, no.4, 861-869.

  15. Godyak, V. A., Piejak, R. B., Alexandrovich, B. M.. Evolution of the electron-energy-distribution function during rf discharge transition to the high-voltage mode. Physical review letters, vol.68, no.1, 40-43.

  16. Berezhnoi, S.V., Kaganovich, I.D., Misina, M., Bogaerts, A., Gijbels, R.. Semianalytical description of nonlocal secondary electrons in a radio frequency capacitively coupled plasma at intermediate pressures. IEEE transactions on plasma science, vol.27, no.5, 1339-1347.

  17. He, G., Zhu, L.Q., Liu, M., Fang, Q., Zhang, L.D.. Optical and electrical properties of plasma-oxidation derived HfO2 gate dielectric films. Applied surface science, vol.253, no.7, 3413-3418.

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로