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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.11 no.1, 2011년, pp.437 - 440
Lee, Dong Uk , Kim, Seon Pil , Han, Dong Seok , Kim, Eun Kyu , Park, Goon-Ho , Cho, Won-Ju , Kim, Young-Ho
In2O3 nanocrystal memories with barrier-engineered tunnel layers were fabricated on a p-type Si substrate. The structure and thickness of the barrier-engineered tunnel layers were SiO2/Si3N4/SiO2 (ONO) and 2/2/3 nm, respectively. The equivalent oxide thickness of the ONO tunnel layers was 5.64 nm. T...
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