[논문]Effects of UV light and carbon nanotube dopant on solution-based indium gallium zinc oxide thin-film transistors

Lee, K.W.; Kim, K.M.; Heo, K.Y.; Park, S.K.; Lee, S.K.; Kim, H.J.

doi:10.1016/j.cap.2010.07.020

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Effects of UV light and carbon nanotube dopant on solution-based indium gallium zinc oxide thin-film transistors

Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.11 no.3, 2011년, pp.280 - 285

Lee, K.W. (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea) , Kim, K.M. (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea) , Heo, K.Y. , Park, S.K. , Lee, S.K. , Kim, H.J.

Abstract ▼ AI-Helper

We studied the effects of ultraviolet (UV) light and the electrical properties of solution-based indium gallium zinc oxide single-walled carbon nanotube thin-film transistors (SB-IGZO/SWNT TFT), compared with those of solution-based IGZO TFT. Of these devices, the SB-IGZO/SWNT TFT had excellent photo-induced current-sensitivity under illumination and significantly slower recovery of the transfer characteristics after switching off the UV light. To explain these unique photo-response behaviors, we believe that SWNTs play an important role as carrier transport rods during device operation and as electron traps in the device off-state, along with electron-hole pairs due to the UV light illumination.

주제어

참고문헌 (13)

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Jpn. J. Appl. Phys. Takechi 48 010203 2009 10.1143/JJAP.48.010203

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Nano Lett. Star 4 9 1587 2004 10.1021/nl049337f

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Sze 1981 Physics of Semiconductor Devices
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Watts 2003 Surface Analysis by XPS and AES
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J. Cryst. Growth Chen 220 254 2000 10.1016/S0022-0248(00)00834-4

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J. Appl. Phys. Martins 101 044505 2007 10.1063/1.2495754

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