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NTIS 바로가기IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, v.29 no.10, 2008년, pp.1152 - 1154
Larcher, L. (Dipt. di Sci. e Metodi dellTngegneria, Univ. degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena) , Padovani, A. (Dipt. di Sci. e Metodi dellTngegneria, Univ. degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena) , Pavan, P. (Dipt. di Sci. e Metodi dellTngegneria, Univ. degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena) , Fantini, P. , Calderoni, A. , Mauri, A. , Benvenuti, A.
In this letter, we present a compact model of NAND flash memory strings for circuit simulation purposes. This model is modular and easy to be implemented, and its parameters can be extracted through a simple procedure. It allows accurate simulation of NAND flash memories with a limited computational...
Pavan, P., Larcher, L., Cuozzo, M., Zuliani, P., Conte, A.. A complete model of E2PROM memory cells for circuit simulations. IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems : a publication of the IEEE Circuits and Systems Society, vol.22, no.8, 1072-1079.
Jae-Duk Lee, Sung-Hoi Hur, Jung-Dal Choi. Effects of floating-gate interference on NAND flash memory cell operation. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.23, no.5, 264-266.
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Ghetti, Andrea, Bortesi, Luca, Vendrame, Loris. 3D Simulation study of gate coupling and gate cross-interference in advanced floating gate non-volatile memories. Solid-state electronics, vol.49, no.11, 1805-1812.
Ventrice, D., Fantini, P., Redaelli, A., Pirovano, A., Benvenuti, A., Pellizzer, F.. A Phase Change Memory Compact Model for Multilevel Applications. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.28, no.11, 973-975.
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