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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TE, 전문기술교육, v.38 no.4, 2001년, pp.21 - 29
강문상
ECR 플라즈마 CVD 방법으로 기판온도를 변화시켜 비정질 실리콘 박막을 증착하고 열처리 전과 열처리 후의 광학적, 전기적 특성을 관찰했다. 열처리 전 실리콘 박막의 경우 기판온도가 27℃에서 250℃까지 증가함에 따라 광전도도가 10-8(Ωcm)-1 에서 10-5(Ωcm)-1로 증가하고 광학적 밴드갭이 1.9 eV에서 1.75 eV, FWHM이 95 cm-1에서 75 cm-1, 수소 농도가 18 at.%에서 15 at.%, α2090/α2000 이 4.3에서 1.5로 감소했다. 열처리한 Si 박막의 경우(111) 방향의 다결정 실리콘 박막을 얻었으며, 기판온도가 감소할수록 Hall 이동도가 12(cm2/V.sec)에서 55(cm2/V.sec)로 증가했다. 실험 결과로부터 열처리 전 실리콘 박막의 전기적 특성은 기판온도가 증가함에 따라 향상되었으나 열처리한 실리콘 박막의 전기적 특성은 기판온도가 낮을수록 향상되었다.
The amorphous Si films were prepared by ECR plasma CVD as a function of the substrate temperature and their optical and electrical characteristics were investigated in the annealed and non-annealed Si films. In case of the non-annealed Si films, the photoconductivity increased from 10-8(Ωcm)-1 to 1...
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