LED에 기반한 고체상태의 광은 기존의 램프-기반 광 시스템의 효율을 크게 초과하면서 디스플레이와 조명분야에 관심이 증가하고 있다. LED는 저 전력, 긴 수명, 고 휘도, 빠른 응답, 친환경적인 특성의 장점을 갖고 있어 LCD LED TV, 휴대폰, 의료기기의 후면광원, 조명, 교통신호 분야에 폭넓게 사용되고 있다. LED가 여러분야에 사용되기 위하여 LED 칩의 고효율화가 이루어져야 하는데, 이는 에피택셜층, 표면요철, 패턴이 있는 사파이어 기판, 칩 설계의 최적화 등의 기술이 우수해야 한다. 본 연구에서는 GaN-기반 LED 칩의 성능을 개선하기 위한 최적화 설계와 특화된 공정을 통하여 발광면적, 광 출력, 인가전압 등을 조사하였다. Laser Scribe 기술로, 발광면적이 11.8% 증가하였고, 광 출력 45.37㎽, 순방향 인가전압 3.26V의 값을 얻었다. GaN-기반 LED 칩의 성능이 개선되어 의료기기 및 LCD LED TV의 후면광원으로 사용할 수 있을 것으로 기대된다.
LED에 기반한 고체상태의 광은 기존의 램프-기반 광 시스템의 효율을 크게 초과하면서 디스플레이와 조명분야에 관심이 증가하고 있다. LED는 저 전력, 긴 수명, 고 휘도, 빠른 응답, 친환경적인 특성의 장점을 갖고 있어 LCD LED TV, 휴대폰, 의료기기의 후면광원, 조명, 교통신호 분야에 폭넓게 사용되고 있다. LED가 여러분야에 사용되기 위하여 LED 칩의 고효율화가 이루어져야 하는데, 이는 에피택셜층, 표면요철, 패턴이 있는 사파이어 기판, 칩 설계의 최적화 등의 기술이 우수해야 한다. 본 연구에서는 GaN-기반 LED 칩의 성능을 개선하기 위한 최적화 설계와 특화된 공정을 통하여 발광면적, 광 출력, 인가전압 등을 조사하였다. Laser Scribe 기술로, 발광면적이 11.8% 증가하였고, 광 출력 45.37㎽, 순방향 인가전압 3.26V의 값을 얻었다. GaN-기반 LED 칩의 성능이 개선되어 의료기기 및 LCD LED TV의 후면광원으로 사용할 수 있을 것으로 기대된다.
Solid-state lighting based on LED is an emerging technology with potential to greatly exceed the efficiency of traditional lamp-based lighting system. The interest for LEDs display and illumination applications has been growing steadily over the past few years. LEDs are using widely in a field of il...
Solid-state lighting based on LED is an emerging technology with potential to greatly exceed the efficiency of traditional lamp-based lighting system. The interest for LEDs display and illumination applications has been growing steadily over the past few years. LEDs are using widely in a field of illumination, lighting source of medical instrument, LCD LED backlight, mobile and traffic signals because they have several merits, such as low power consumption, long lifetime, high brightness, fast response, environment friendly. In order to make a high efficiency, it must the good technology of epitaxial layer, surface roughness, patterned sapphire substrate(PSS) and optimum chip design. In this study, we have reported that the optimum design and specialized process could improve the characteristics of LED chip, those are, area of lighting emitting, output power, supplied voltage. After that, their performances were measured. It was showed an 11.8% increase of the lighting emitting area, output power of 45.37㎽ and supplied voltage of 3.26V by using the Laser Scribe break technique. It will be used the lighting source of a medical equipment and LCD LED TV with high performance of GaN-based LED TV via GaN-based LED with high performance of chip.
Solid-state lighting based on LED is an emerging technology with potential to greatly exceed the efficiency of traditional lamp-based lighting system. The interest for LEDs display and illumination applications has been growing steadily over the past few years. LEDs are using widely in a field of illumination, lighting source of medical instrument, LCD LED backlight, mobile and traffic signals because they have several merits, such as low power consumption, long lifetime, high brightness, fast response, environment friendly. In order to make a high efficiency, it must the good technology of epitaxial layer, surface roughness, patterned sapphire substrate(PSS) and optimum chip design. In this study, we have reported that the optimum design and specialized process could improve the characteristics of LED chip, those are, area of lighting emitting, output power, supplied voltage. After that, their performances were measured. It was showed an 11.8% increase of the lighting emitting area, output power of 45.37㎽ and supplied voltage of 3.26V by using the Laser Scribe break technique. It will be used the lighting source of a medical equipment and LCD LED TV with high performance of GaN-based LED TV via GaN-based LED with high performance of chip.
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