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NTIS 바로가기한국산학기술학회논문지 = Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society, v.13 no.1, 2012년, pp.329 - 332
LEDs are using widely in a field of illumination, LCD LED backlight, mobile signals because they have several merits, such as low power consumption, long lifetime, high brightness, fast response, environment friendly. To achieve high performance LEDs, one needs to enhance output power, reduce operat...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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LED는 어떤 장점을 가지고 있는가? | LED를 이용하는 경우 광변환 효율이 높고 낮은 전압을 사용하기 때문에 소비전력이 적으며 소형화, 박형화,경량화, 수명이 반영구적이라는 장점을 갖고 있다. 최근 GaN에 기반한 청색, 녹색, UV파장 대역의 LED가 연구되고 있는데, 이들 청색과 녹색 LED는 교통신호, 옥외 디스플레이, LCD 후면광 등의 응용 제품에 사용되고 있다. | |
청색 녹색의 GaN 기반 LED는 어디에 이용되고 있는가? | LED를 이용하는 경우 광변환 효율이 높고 낮은 전압을 사용하기 때문에 소비전력이 적으며 소형화, 박형화,경량화, 수명이 반영구적이라는 장점을 갖고 있다. 최근 GaN에 기반한 청색, 녹색, UV파장 대역의 LED가 연구되고 있는데, 이들 청색과 녹색 LED는 교통신호, 옥외 디스플레이, LCD 후면광 등의 응용 제품에 사용되고 있다. 여기서 LED의 성능을 향상하기 위하여는 출력과 소자의 효율을 높이고, 동작전압을 낮추어야 한다. | |
에피텍셜 층의 효율은 무엇을 통하여 증대되는가? | 이러한 LED가 여러 제품에 응용되기 위하여 효율이 우수해야 한다. 효율은 에피층(epi-layer), 칩(chip) 부분으로 나눌 수 있는데, 에피텍셜 층의 경우, 미세구조(nano structure), 패턴을 새긴 기판(patterned substrate), 동종에피층(homo epi), MOCVD 특성 등을 통하여 효율을 증대하고, 칩은 GaN의 표면 요철(roughness), 투명전극, 광 자결정(photonic crystal), 결이 있는 측벽(textured side wall), 패턴이 있는 사파이어 기판(patterned sapphire substrate), 다이 형상, 칩의 구조 등으로 효율을 증대한다.[5-9] |
Y. J. Lee, H.C.Kuo, and S.C.Wang "Enhancing the Output Power of GaN-based LEDs Grown on Wet-Etched Pattrened Sapphire Substrates", IEEE PHOTONIC TECHNOLOGY LETTERS, Vol. 18, No. 10, pp. 2289-2291, May 2006.
S. Nakamura and G. Gasol, "The Blue Laser Diode", New York: springer, Vol. 10, No. 3, pp. 223-226, May 1997.
T.Egawa, B.Zhang, and H.Ishikawa, "High Performance of InGaN LEDs on (111) Silicon Substrate grown by MOCVD", IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol. 26, No. 3, pp. 169-171, March 2005.
H. G. kim et al, "Improved GaN-Based LED Light Extraction Efficiencies via Selective MOCVD Using Peripheral Microhole Arrays", IEEE PHOTONIC TECHNOLOGY LETTERS, Vol. 20, No. 15, pp. 1284-1286, Aug. 2008.
Y. J. Lee, J. M. Hwang, T. C. Hsu and S.C.Wang, "Study of the Extraction Power Dependent Internal Quentum Efficiency in IngaN/gaN LEDs Grown on Patterned Sapphire Substrate", IEEE Journal of selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 15, No. 4, pp. 445-448, Nov. 2009.
Mary H.Crawford, "LEDs for Solid-State Lighting: Performance Challenges and recent Advances", IEEE Journal of selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 15, No. 4, pp. 1028-1040, July 2009.
Ivan Elisshevich, "Compound Semiconductor", Vol.6, No.3, pp.82-85, 2000.
Hynsoo Kim, Ji-Myon Lee, Chul Huh, Sang-Woo Kim, Dong-Joon Kim, Seong-ju Park, and Hyunsang Hwang, Appl. phys., Lett. Vol.77, No.12, pp.1903-1906, 2000.
C. C. Liu, Y. H. Chen, M. P. Houng, Y. H. Wang, Y. K. Su, W. B. Chen, and S. M. Chen, IEEE Photonics Technol. Lett. Vol.16, pp.1444-1447, 2004.
S.Y.Lee, J.R.Ryu, and S.B.Yoon, "Improvement in light output of LED by using the insulating Blocking layer", KIIT, Vol.9, No.5, pp35-40, 2011.
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