[논문]The History of DRAM Circuit Designs – At the Forefront of DRAM Development –

Itoh, Kiyoo

doi:10.1109/n-ssc.2008.4785688

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[해외논문] The History of DRAM Circuit Designs – At the Forefront of DRAM Development –

IEEE Solid-State Circuits Society news, v.13 no.1, 2008년, pp.27 - 31

Itoh, Kiyoo (Hitachi Ltd., kiyoo.itoh.pt@hitachi.com)

Abstract ▼ AI-Helper

Dynamic random-access memory (DRAM) has been the only high-density RAM used for over 30 years despite many attempts to replace it. Contributing to IT advances to this day, it has achieved an unprecedented six-fold increase in memory capacity in the last three decades. The author surveys the history of DRAM circuit design in this paper, based on his career at the forefront of DRAM development from its inception in 1970 through the present.

참고문헌 (19)

10.1109/ISSCC.1980.1156076
itoh 0
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10.1109/VLSIC.1990.111076
Sakata, T., Itoh, K., Horiguchi, M., Aoki, M.. Two-dimensional power-line selection scheme for low subthreshold-current multi-gigabit DRAM's. IEEE journal of solid-state circuits, vol.29, no.8, 887-894.

상세보기
ISSCC Dig Tech Papers no exponential is forever: but forever can be delayed! moore 2003 20
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Dennard, R.H., Gaensslen, F.H., Yu, Hwa-Nien, Rideout, V.L., Bassous, E., LeBlanc, A.R.. Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions. IEEE journal of solid-state circuits, vol.9, no.5, 256-268.

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10.1109/ISSCC.1972.1155066
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Proc Reliability Physics Symp a new physical mechanism for soft errors in dynamic memories may 1978 33

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