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NTIS 바로가기Japanese journal of applied physics. Part 1, Regular papers, short notes and review papers, v.34 no.2B, 1995년, pp.878 - 881
Ploeg, Eric P. Ver , Noda, Hiromasa , Umeda, Kazunori , Nagai, Ryo , Kimura, Shin"ichiro
Counter doping implantation into the channel region is an effective and attractive technique for lowering the threshold voltage in n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs). There are several important advantages to using counter doping, including improved mobility. Howe...
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