[논문]Photoluminescence studies of ZnO thin films on porous silicon grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Kim, M.S.; Nam, G.; Son, J.S.; Leem, J.Y.

doi:10.1016/j.cap.2012.05.016

Photoluminescence studies of ZnO thin films on porous silicon grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.12 suppl.4, 2012년, pp.S94 - S98

Kim, M.S. , Nam, G. , Son, J.S. , Leem, J.Y.

Abstract ▼ AI-Helper

ZnO thin films were grown on porous silicon (PS) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE). The optical properties of the ZnO thin films grown on PS were studied using temperature-dependent photoluminescence (PL). At room temperature, the full width at half maximum (FWHM) of the near-band-edge emission (NBE) from the ZnO thin films was 98 meV, which was much smaller than that of ZnO thin films grown on a Si substrate. This value was even smaller than that of ZnO thin films grown on a sapphire substrate. The Huang-Rhys factor S associated with the FX emission from the ZnO thin films was found to be 0.124. The Eg(0) value obtained from the fitting was 3.37 eV, with α = 3.3 x 10-2 eV/K and β = 8.6 x 103 K. The activation energies of the low- and high-temperature region were 9 and 28 meV, respectively. The exciton radiative lifetime in the ZnO thin films showed a non-linear behavior, which was established using a quadratic equation.

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