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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.13 no.8, 2013년, pp.5715 - 5718
Han, Seung Cheol , Kim, Jae-Kwan , Kim, Jun Young , Lee, Dong Min , Yoon, Jae-Sik , Kim, Jong-Kyu , Schubert, E. F. , Lee, Ji-Myon
The electrical properties of Ni-based ohmic contacts to N-face p-type GaN were investigated. The specific contact resistance of N-face p-GaN exhibits a linear decrease from 1.01 omega cm2 to 9.05 x 10(-3) omega cm2 for the as-deposited and the annealed Ni/Au contacts, respectively, with increasing a...
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