$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[해외논문] Ohmic contact to nonpolara-plane p-type GaN using Ni/Au

Japanese journal of applied physics, v.53 no.5 suppl.3, 2014년, pp.05HA04 -   

Kim, Jae-Kwan ,  Lee, Dong-min ,  Lee, Sung-Nam ,  Song, Keun-Man ,  Yoon, Jae-Sik ,  Lee, Ji-Myon

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, we examined the characteristics of Ni/Au (20 nm/80 nm) ohmic contacts to non-polar a-plane p-GaN as a function of annealing temperature. The current-voltage (I-V) curves were showed an upward curve with annealing when Ni/Au metals were used as ohmic metals to nonpolar p-GaN, which was...

참고문헌 (31)

  1. 10.1007/978-3-662-03462-0 

  2. Pearton, S. J., Zolper, J. C., Shul, R. J., Ren, F.. GaN: Processing, defects, and devices. Journal of applied physics, vol.86, no.1, 1-78.

  3. Wetzel, C., Zhu, M., Senawiratne, J., Detchprohm, T., Persans, P.D., Liu, L., Preble, E.A., Hanser, D.. Light-emitting diode development on polar and non-polar GaN substrates. Journal of crystal growth, vol.310, no.17, 3987-3991.

  4. Waltereit, P., Brandt, O., Trampert, A., Grahn, H. T., Menniger, J., Ramsteiner, M., Reiche, M., Ploog, K. H.. Nitride semiconductors free of electrostatic fields for efficient white light-emitting diodes. Nature, vol.406, no.6798, 865-868.

  5. Bernardini, Fabio, Fiorentini, Vincenzo, Vanderbilt, David. Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III-V nitrides. Physical review. B, Condensed matter, vol.56, no.16, R10024-R10027.

  6. Han, Sang-Heon, Lee, Dong-Yul, Lee, Sang-Jun, Cho, Chu-Young, Kwon, Min-Ki, Lee, S. P., Noh, D. Y., Kim, Dong-Joon, Kim, Yong Chun, Park, Seong-Ju. Effect of electron blocking layer on efficiency droop in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes. Applied physics letters, vol.94, no.23, 231123-.

  7. 2005 10.1143/JJAP.44.L173 44 L173 1347-4065 Jpn. J. Appl. Phys. Chakraborty A. 

  8. Ni, X., Fu, Y., Moon, Y.T., Biyikli, N., Morkoç, H.. Optimization of (112‾0) a-plane GaN growth by MOCVD on (11‾02) r-plane sapphire. Journal of crystal growth, vol.290, no.1, 166-170.

  9. Ng, H. M., Bell, A., Ponce, F. A., Chu, S. N. G.. Structural and optical characterization of nonpolar GaN/AlN quantum wells. Applied physics letters, vol.83, no.4, 653-655.

  10. Ling, S.-C., Wang, T.-C., Ko, T.-S., Lu, T.-C., Kuo, H.-C., Wang, S.-C.. Characteristics of ultraviolet nonpolar InGaN/GaN light-emitting diodes using trench epitaxial lateral overgrowth technology. Journal of crystal growth, vol.310, no.7, 2330-2333.

  11. Sato, Hitoshi, Tyagi, Anurag, Zhong, Hong, Fellows, Natalie, Chung, Roy B., Saito, Makoto, Fujito, Kenji, Speck, James S., DenBaars, Steven P., Nakamura, Shuji. High power and high efficiency green light emitting diode on free-standing semipolar (11 $ \bar 2 $2) bulk GaN substrate. Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid Research Letters, vol.1, no.4, 162-164.

  12. Detchprohm, Theeradetch, Zhu, Mingwei, Li, Yufeng, Xia, Yong, Wetzel, Christian, Preble, Edward A., Liu, Lianghong, Paskova, Tanya, Hanser, Drew. Green light emitting diodes on a-plane GaN bulk substrates. Applied physics letters, vol.92, no.24, 241109-.

  13. Neubert, B., Wunderer, T., Brückner, P., Scholz, F., Feneberg, M., Lipski, F., Schirra, M., Thonke, K.. Semipolar GaN/GaInN LEDs with more than 1mW optical output power. Journal of crystal growth, vol.298, 706-709.

  14. 2009 2 1882-0786 Appl. Phys. Express Saito Y. 

  15. Lin, You-Da, Chakraborty, Arpan, Brinkley, Stuart, Kuo, Hsun Chih, Melo, Thiago, Fujito, Kenji, Speck, James S., DenBaars, Steven P., Nakamura, Shuji. Characterization of blue-green m-plane InGaN light emitting diodes. Applied physics letters, vol.94, no.26, 261108-.

  16. Song, Keun-Man, Kim, Jong-Min, Kang, Bong-Kyun, Yoon, Dae-Ho, Kang, S., Lee, Sang-Won, Lee, Sung-Nam. Characteristics of indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells grown on a-plane and c-plane GaN. Applied physics letters, vol.100, no.21, 212103-.

  17. Hwang, Sung-Min, Seo, Yong Gon, Baik, Kwang Hyeon, Cho, In-Sung, Baek, Jong Hyeob, Jung, Sukkoo, Kim, Tae Geun, Cho, Meoungwhan. Demonstration of nonpolar a-plane InGaN/GaN light emitting diode on r-plane sapphire substrate. Applied physics letters, vol.95, no.7, 071101-.

  18. Kim, Kwang-Choong, Schmidt, Mathew C., Sato, Hitoshi, Wu, Feng, Fellows, Natalie, Saito, Makoto, Fujito, Kenji, Speck, James S., Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven P.. Improved electroluminescence on nonpolar m -plane InGaN/GaN quantum wells LEDs. Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid Research Letters, vol.1, no.3, 125-127.

  19. Kim, Han-Ki, Lee, Ji-Myon. Low resistance nonalloyed Al-based ohmic contacts on n-ZnO:Al. Superlattices and microstructures, vol.42, no.1, 255-258.

  20. Kim, Hyunsoo, Lee, Sung-Nam, Park, Yongjo, Kwak, Joon Seop, Seong, Tae-Yeon. Metallization contacts to nonpolar a-plane n-type GaN. Applied physics letters, vol.93, no.3, 032105-.

  21. Kim, Dong Ho, Kim, Su Jin, Seo, Yu Jeong, Kim, Tae Geun, Hwang, Sung Min. Low-resistance Ni/Al Ohmic contacts applied to a nonpolar a-plane n-type GaN. Applied physics letters, vol.98, no.16, 161101-.

  22. 2010 43 0022-3727 J. Phys. D Baik K. H. 

  23. Song, K.M., Kim, J.M., Lee, D.H., Kang, D.H., Park, W.K., Shin, C.S., Ko, C.G., Hwang, S.M., Yoon, D.H.. Reduced anisotropy of a-plane GaN layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of crystal growth, vol.315, no.1, 178-182.

  24. Sawdai, D., Pavlidis, D., Cui, D.. Enhanced transmission line model structures for accurate resistance evaluation of small-size contacts and for more reliable fabrication. IEEE transactions on electron devices, vol.46, no.7, 1302-1311.

  25. Ho, Jin-Kuo, Jong, Charng-Shyang, Chiu, Chien C., Huang, Chao-Nien, Chen, Chin-Yuen, Shih, Kwang-Kuo. Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN. Applied physics letters, vol.74, no.9, 1275-1277.

  26. Koide, Yasuo, Maeda, T., Kawakami, T., Fujita, S., Uemura, T., Shibata, N., Murakami, Masanori. Effects of annealing in an oxygen ambient on electrical properties of ohmic contacts to p-type GaN. Journal of electronic materials, vol.28, no.3, 341-346.

  27. Kim, C. C., Kim, J. K., Lee, J.-L., Je, J. H., Yi, M. S., Noh, D. Y., Hwu, Y., Ruterana, P.. Catalytic role of Au in Ni/Au contact on GaN(0001). Applied physics letters, vol.78, no.24, 3773-3775.

  28. Smith, L. L., Davis, R. F., Kim, M. J., Carpenter, R. W., Huang, Y.. Microstructure, electrical properties, and thermal stability of Au-based ohmic contacts to p-GaN. Journal of materials research, vol.12, no.9, 2249-2254.

  29. Sheu, J. K., Su, Y. K., Chi, G. C., Koh, P. L., Jou, M. J., Chang, C. M., Liu, C. C., Hung, W. C.. High-transparency Ni/Au ohmic contact to p-type GaN. Applied physics letters, vol.74, no.16, 2340-2342.

  30. Lee, Jong-Lam, Kim, Jong Kyu, Lee, Jae Won, Park, Yong Jo, Taeil Kim, Yong Jo. Effect of surface treatment by KOH solution on ohmic contact formation of p-type GaN. Solid-state electronics, vol.43, no.2, 435-438.

  31. 2013 52 1347-4065 Jpn. J. Appl. Phys. Oya M. 

활용도 분석정보

상세보기
다운로드
내보내기

활용도 Top5 논문

해당 논문의 주제분야에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로