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NTIS 바로가기ECS transactions, v.52 no.1, 2013년, pp.379 - 383
He, Weiye (aApplied Materials China) , Kang, Jian (aApplied Materials China) , Luo, Jeff (aApplied Materials China) , Wu, Grant (aApplied Materials China) , Zhang, Lei (aApplied Materials China)
High-κ metal gate is widely used for 32nm and beyond to enable scaling down of MOSFET geometry while improving device speed and gate leakage. This structure requires a good work function metal to tune Vt as well as a stable metal barrier to control inter-diffusion and interaction between the ...
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