최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기ECS transactions, v.64 no.10, 2014년, pp.123 - 128
Park, Sang-Hee Ko (aKAIST) , Kim, Hee-Ok (bETRI) , Cho, Sung-Heang (bETRI) , Ryu, Min Ki (bETRI) , Yang, Jong-Heon (bETRI) , Ko, Jong-Beom (aKAIST) , Hwang, Chi-Sun (bETRI)
We adopted SiO2 film by means of plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) as the first gate insulator of top gate IGZO TFT. TFT post-annealed at 300oC shows mobility, Vth, and S.S of 39.9 cm2/V.s, -1V, and 0.32 V/dec., respectively. We investigated the effect of H in the gate insulator during...
해당 논문의 주제분야에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.