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Resistive switching characteristics of ZnO-graphene quantum dots and their use as an active component of an organic memory cell with one diode-one resistor architecture
Organic electronics, v.18, 2015년, pp.77 - 83
Ji, Y. , Lee, S.A. , Cha, A.N. , Goh, M. , Bae, S. , Lee, S. , Son, D.I. , Kim, T.W.
Abstract
AI-Helper
We investigated the resistive switching characteristics of a polystyrene:ZnO-graphene quantum dots system and its potential application in a one diode-one resistor architecture of an organic memory cell. The log-log I-V plot and the temperature-variable I-V measurements revealed that the switching m...
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- DOI : 10.1016/j.orgel.2015.01.010
- Elsevier : 저널 > 논문
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