[논문]A solution-processed silicon oxide gate dielectric prepared at a low temperature via ultraviolet irradiation for metal oxide transistors

Seul, Hyeon Joo; Kim, Hyun-Gwan; Park, Man-Young; Jeong, Jae Kyeong

doi:10.1039/c6tc03725a

A solution-processed silicon oxide gate dielectric prepared at a low temperature via ultraviolet irradiation for metal oxide transistors

Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices, v.4 no.44, 2016년, pp.10486 - 10493

Seul, Hyeon Joo (Department of Electronic Engineering) , Kim, Hyun-Gwan (Research Center for Nano-Materials) , Park, Man-Young (Research Center for Nano-Materials) , Jeong, Jae Kyeong (Department of Electronic Engineering)

Abstract ▼ AI-Helper

A facile route for the preparation of a solution-processed silicon oxide dielectric from perhydropolysilazane (PHPS) at a low temperature (≤150 °C) is proposed. Deep ultraviolet (DUV) irradiation on the PHPS-derived silicon oxide film, where the coupling agent of vinyltriethoxysilane (VTES) was introduced to assist the formation of the Si-O lattice network at a low temperature, allowed the prepared silicon oxide film to have device-quality insulating properties. The metal/insulator/metal capacitor with DUV-annealed silicon oxide exhibited a low gate leakage current density of 7.0 × 10−8 A cm−2 at 1 MV cm−1, which was attributed to the photon-assisted purification and densification of the silicon oxide film. The suitability of this silicon oxide film as a gate insulator was evaluated in all-solution-processed indium zinc oxide (IZO) thin-film transistors (TFTs). The IZO TFTs that were fabricated at a contact annealing temperature of 150 °C exhibited a high field-effect mobility of 17.3 cm2 V−1 s−1, a threshold voltage of 2.7 V, and an ION/OFF modulation ratio of 1 × 105. Therefore, DUV-assisted IZO TFTs with a PHPS-derived silicon oxide insulator are promising candidates for low-temperature, large-area, and flexible electronics for use on inexpensive plastic substrates.

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