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[해외논문] Study of proton radiation effect to row hammer fault in DDR4 SDRAMs

Microelectronics reliability, v.80, 2018년, pp.85 - 90  

Lim, Chulseung (Hanyang University, Electronic and Communication Engineering Department, 55 Hanyangdaehak-ro, Sangnok-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 426-791, Republic of Korea) ,  Park, Kyungbae (Hanyang University, Electronic and Communication Engineering Department, 55 Hanyangdaehak-ro, Sangnok-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 426-791, Republic of Korea) ,  Bak, Geunyong (Hanyang University, Electronic and Communication Engineering Department, 55 Hanyangdaehak-ro, Sangnok-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 426-791, Republic of Korea) ,  Yun, Donghyuk (Hanyang University, Electronic and Communication Engineering Department, 55 Hanyangdaehak-ro, Sangnok-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 426-791, Republic of Korea) ,  Park, Myungsang (Hanyang University, Electronic and Communication Engineering Department, 55 Hanyangdaehak-ro, Sangnok-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 426-791, Republic of Korea) ,  Baeg, Sanghyeon (Hanyang University, Electronic and Communication Engineering Department, 55 Hanyangdaehak-ro, Sangnok-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 426-791, Republic of Korea) ,  Wen, Shi-Jie (Cisco Systems Inc., Component Engineering Group, San Jose,) ,  Wong, Richard

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Proton-based radiation damage tests were performed with DDR4 SDRAM components from two different technologies. Experiment results showed that after proton irradiation, the number of bit errors caused by the row hammering test increased about 41% and 66% in technologies 2x-nm and 2y-nm, respectively....

Keyword

#Row hammer   #Dynamic Random Access Memory (DRAM)   #Cell retention time   #DDR4   #Radiation damage   #Proton  

참고문헌 (24)

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  23. Sridharan 2012 Proc. High Performance Computing, Networking, Storage and Analysis A study of DRAM failures in the field 

  24. Willhalm 

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