[논문]Low-temperature fabrication of solution-processed InZnO thin-film transistors with Si impurities by UV/O3-assisted annealing

Lu, Li; Echizen, Masahiro; Nishida, Takashi; Ishikawa, Yasuaki; Uchiyama, Kiyoshi; Uraoka, Yukiharu

doi:10.1063/1.4739052

Low-temperature fabrication of solution-processed InZnO thin-film transistors with Si impurities by UV/O3-assisted annealing 원문보기

AIP advances, v.2 no.3, 2012년, pp.032111 -

Lu, Li (Nara Institute of Science and Technology 1 Graduate School of Materials Science, , 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) , Echizen, Masahiro (Nara Institute of Science and Technology 1 Graduate School of Materials Science, , 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) , Nishida, Takashi (Nara Institute of Science and Technology 1 Graduate School of Materials Science, , 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) , Ishikawa, Yasuaki (Nara Institute of Science and Technology 1 Graduate School of Materials Science, , 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) , Uchiyama, Kiyoshi (Tsuruoka National College of Technology 3 , 104 Inooka Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan) , Uraoka, Yukiharu (Nara Institute of Science and Technology 1 Graduate School of Materials Science, , 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan)

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Assisted by UV/O3 annealing, InZnO thin-film transistors (TFTs) fabricated at a low temperature of 290°C showed a high field-effect mobility of 2.19 cm2/(V·s). This value was almost the same as that of InZnO TFTs annealed at 700°C without UV/O3 assistance. Si ions in the substrate were induced by UV irradiation and diffused into the InZnO thin film. They entered Zn ions sites in the InZnO matrix, and more oxygen vacancies and freely moving electrons were subsequently generated. Thus, a high mobility was obtained although the annealing temperature was lower than the pyrolysis temperature of the InZnO precursor.

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