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NTIS 바로가기Journal of the Society for Information Display, v.16 no.4, 2008년, pp.527 - 530
Oh, H. S. , Kim, K. H. , Lee, J. H. , Baek, J. H. , Yu, Y. M. , Kwak, J. S.
Abstract- The effect of growth conditions of a distributed Bragg reflector (DBR) structure on the performance of AlGaInP light‐emitting diodes (LEDs) have been investigated. Increasing the growth temperature and the flow rate of AsH3 as well as lowering the growth pressure resulted in improve...
Streubel, K., Linder, N., Wirth, R., Jaeger, A.. High brightness AlGaInP light-emitting diodes. IEEE journal on selected topics in quantum electronics : a publication of the IEEE Communications Society, vol.8, no.2, 321-332.
Gessmann, Th., Schubert, E. F.. High-efficiency AlGaInP light-emitting diodes for solid-state lighting applications. Journal of applied physics, vol.95, no.5, 2203-2216.
Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice Stringfellow G. B. 1999
Kuech, T.F., Nayak, S., Huang, J.-W., Li, J.. Chemical and physical effects in oxygen incorporation during the metalorganic vapor phase epitaxial growth of GaAs. Journal of crystal growth, vol.163, no.1, 171-179.
Redwing, J.M., Nayak, S., Savage, D.E., Lagally, M.G., Dawson-Elli, D.F., Kuech, T.F.. The effect of controlled impurity incorporation on interfacial roughness in GaAs/AlxGa1−xAs superlattice structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of crystal growth, vol.145, no.1, 792-798.
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