[논문]Partial agglomeration during Co silicide film formation

Xiao, Z.G.; Rozgonyi, G.A.; Canovai, C.A.; Osburn, C.M.

doi:10.1557/JMR.1992.0269

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Partial agglomeration during Co silicide film formation

Journal of materials research, v.7 no.2, 1992년, pp.269 - 272

Xiao, Z.G. , Rozgonyi, G.A. , Canovai, C.A. , Osburn, C.M.

Abstract ▼ AI-Helper

The agglomeration of Co silicide films formed on Si substrates processed with evaporated Co film thicknesses from 9 to 28 nm was investigated by TEM and four-point-probe resistivity measurements. It was found that the upper portion of a reacting Co or Co silicide film can agglomerate independently from the main body of the silicide layer. This phenomenon is designated partial agglomeration in contrast to whole film agglomeration which generally occurs at higher temperatures. Partial agglomeration appears to develop more extensively for thinner films and poses a serious limitation for the application of thin silicide contact layers for advanced VLSI devices. The formation mechanism of partial agglomeration and the reason for its variation with film thickness are explained on the basis of a previously presented [MRS Proc. Vol. 202, p. 101 (1991)] theoretical model of grain boundary grooving and the onset of islanding in silicide films. Kirkendall voids and phase transformation induced volume changes play an important role in the process.

참고문헌 (12)

Evolution of Thin Film and Surface Microstructure, 1991 Xiao
Ruterana, P., Houdy, P., Boher, P.. A transmission electron microscopy study of low-temperature reaction at the Co-Si interface. Journal of applied physics, vol.68, no.3, 1033-1037.

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Veuillen, J. Y., Derrien, J., Badoz, P. A., Rosencher, E., d’Anterroches, C.. Co/Si(111) interface: Formation of an initial CoSi2 phase at room temperature. Applied physics letters, vol.51, no.18, 1448-1450.

상세보기
Berry, R. Stephen, Bernholc, J., Salamon, Peter. Disappearance of grain boundaries in sintering. Applied physics letters, vol.58, no.6, 595-597.

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Osburn, C. M.. Formation of silicided, ultra-shallow junctions using low thermal budget processing. Journal of electronic materials, vol.19, no.1, 67-88.

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van Gurp, G. J., Langereis, C.. Cobalt silicide layers on Si. I. Structure and growth. Journal of applied physics, vol.46, no.10, 4301-4307.

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VLSI Electronics Microstructure Science, 6 330 1983 Nicolet
Reduced Thermal Processing for ULSI, 207 53 1988 van
Lien, C. -D., Nicolet, M. -A., Lau, S. S.. Kinetics of CoSi2 from evaporated silicon. Applied physics. A, Solids and surfaces, vol.34, no.4, 249-251.

상세보기
van Gurp, G. J., van der Weg, W. F., Sigurd, D.. Interactions in the Co/Si thin-film system. II. Diffusion-marker experiments. Journal of applied physics, vol.49, no.7, 4011-4020.

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d'Heurle, F.M.. Formation of thin films of CoSi₂: Nucleation and diffusion mechanisms. Thin solid films, vol.128, no.3, 283-297.

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11. Xiao Z. G. , Rozgonyi G. A. , and Honeycutt J. W. , manuscript in preparation.

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