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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.18 no.3, 2018년, pp.1837 - 1840
Ahn, Joonsung (Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) , Kim, Tae Whan (Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea)
The effect of the curved fin top edge on the electrical characteristics of FinFETs was investigated. The curvature radius of the fin top edge for the FinFETs was changed from 0 to 5 nm in order to determine the optimum condition of the electrical characteristics for the devices. The on-current level...
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