[논문]Photopatternable inorganic hardmask

Telecky, Alan; Xie, Peng; Stowers, Jason; Grenville, Andrew; Smith, Bruce; Keszler, Douglas A.

doi:10.1116/1.3507889

[해외논문] Photopatternable inorganic hardmask

Journal of vacuum science and technology. materials, processing, measurement, & phenomena : JVST B. B, Nanotechnology & microelectronics, v.28 no.6, 2010년, pp.C6S19 - C6S22

Telecky, Alan (Oregon State University Department of Chemistry, , Corvallis, Oregon 97331-4003) , Xie, Peng (Rochester Institute of Technology , Rochester, New York 14623) , Stowers, Jason (Inpria Corp. , Corvallis, Oregon 97330) , Grenville, Andrew (Inpria Corp. , Corvallis, Oregon 97330) , Smith, Bruce (Rochester Institute of Technology , Rochester, New York 14623) , Keszler, Douglas A. (Oregon State University Department of Chemistry, , Corvallis, Oregon 97331-4003)

Abstract ▼ AI-Helper

The authors present a directly photopatternable inorganic hardmask for 193 nm lithography based on the solution-deposited dielectric metal oxide sulfate (MSOx) system. To demonstrate pattern fidelity, 18 nm half-pitch features were written at a dose near 240 μC/cm2 (30 keV) with line width roughness values between 1.6 and 1.8 nm. Well-resolved and uniform 30 nm contact holes were fabricated via a litho-freeze-litho-etch process employing electron beam exposure and a simple thermal freeze. ZircSOx has a high index of refraction approaching 1.9 at 193 nm, and the extinction coefficient, k, can be varied by an order of magnitude by substituting Zr with Hf. Optical interference lithography at 193 nm was used to realize 60 nm half-pitch lines in MSOx at a dose of 25 mJ/cm2.

참고문헌 (24)

Microelectron. Eng. 85 764 2008 10.1016/j.mee.2007.12.001

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Microelectron. Eng. 73-74 228 2004 10.1016/S0167-9317(04)00103-0
Microelectron. Eng. 85 959 2008 10.1016/j.mee.2008.01.080

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Microelectron. Eng. 35 149 1997 10.1016/S0167-9317(96)00176-1

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J. Vac. Sci. Technol. B 4 361 1986 10.1116/1.583332

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J. Vac. Sci. Technol. B 5 369 1987 10.1116/1.583905

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J. Vac. Sci. Technol. B 14 3489 1996 10.1116/1.588785

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J. Non-Cryst. Solids 299-302 978 2002 10.1016/S0022-3093(01)01126-7

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J. Appl. Phys. 53 6979 1982 10.1063/1.330043

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Jpn. J. Appl. Phys. 20 L149 1981 10.1143/JJAP.20.L149

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Nanotechnology 21 065303 2010 10.1088/0957-4484/21/6/065303

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Proc. SPIE 7639 76390E 2010 10.1117/12.846672
Microelectron. Eng. 86 730 2009 10.1016/j.mee.2008.11.034

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Adv. Funct. Mater. 17 2117 2007 10.1002/adfm.200601135

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Microelectron. Eng. 85 800 2008 10.1016/j.mee.2008.02.007

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Proc. SPIE 6519 65192S 2007 10.1117/12.712342
Proc. SPIE 5754 751 2005 10.1117/12.602414
J. Vac. Sci. Technol. B 16 69 1998 10.1116/1.589837

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Proc. SPIE 7520 75200M 2009 10.1117/12.840419
Proc. SPIE 7520 75201Y 2009 10.1117/12.837156
Proc. SPIE 6519 651909 2007 10.1117/12.715108
Future Fab Intl. 20 76 2007
Proc. SPIE 7636 76361J 2010 10.1117/12.848438

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