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NTIS 바로가기Results in physics, v.9, 2018년, pp.1170 - 1171
Choi, J.-H. , Cho, C.-H. , Cha, H.-Y.
Gallium oxide (Ga2O3) based vertical Schottky barrier diodes (SBDs) were designed for high voltage switching applications. Since p-type Ga2O3 epitaxy growth or p-type ion implantation technique has not been developed yet, a field plate structure was employed in this study to maximize the breakdown v...
Solid-State Electron Burk 43 8 1459 1999 10.1016/S0038-1101(99)00089-1 SiC and GaN wide bandgap semiconductor materials and devices
Semicond Sci Technol Higashiwaki 31 3 034001 2016 10.1088/0268-1242/31/3/034001 Recent progress in Ga2O3 power devices
Phys Rev B Varley 85 8 081109 2012 10.1103/PhysRevB.85.081109 Role of self-trapping in luminescence and p-type conductivity of wide-band-gap oxides
Baliga 197 2008 Fundamentals of power semiconductor devices
Ghosh K, Singisett U.Impact ionization in monoclinic β-Ga2O3. arXiV:1705.09203v1 [cond-mat.mtrl-sci] 25 May 2017.
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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