[논문]The Effect of Various Process Induced Damages on Wet Etching Rate Difference

Yoon, Hyo Geun; Lee, Sang Hyun; Kim, Woo Jin; Choi, Geun Min; Song, Young Wook

doi:10.4028/www.scientific.net/ssp.134.143

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[해외논문] The Effect of Various Process Induced Damages on Wet Etching Rate Difference

Diffusion and defect data. SSP. [Pt. B], Solid state phenomena, v.134, 2007년, pp.143 - 147

Yoon, Hyo Geun (Hynix Semiconductor Inc.) , Lee, Sang Hyun (Hynix Semiconductor Inc.) , Kim, Woo Jin (Hynix Semiconductor Inc.) , Choi, Geun Min (SK Hynix Semiconductor Incorporation) , Song, Young Wook (Hynix Semiconductor Inc.)

초록이 없습니다.

참고문헌 (30)

10.1063/1.123878 A. Losavio et al., Appl. Phys. Lett., Vol. 74, No. 17, PP. 2453~2455 (1999).

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10.1109/TED.2004.835162 Nak-Jin Son et al., IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 51, No. 10, PP. 1644~1652 (2004).

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10.1116/1.2178367 Mark N. Kawaguch et al., J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 24, Issue 2, PP. 657~663 (2006).

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Bor-Wen Chan et al., Plasma-and Proc-Induced Damage, 2003 8 th International Sys, PP. 73~76 (2003).
10.1149/1.2200307 R. Chaavel, J. -P. Raskin, Electrochem. And Solid-State Lett. 9(7), PP. G245~G247 (2006).

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Lianjun Liu et al, Electron Device Meeting. Vol, Issue, PP. 17~20 (1996).
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5 Etching rate Depth 1E16atoms/cm2 5E13atoms/cm2 Non-IMP (Å) Fig. 3. Etching rate vs. Oxide depth Fig. 6. Dopant (B) level vs. Oxide depth Fig. 4. Dopant (Ph) level vs. Oxide depth Fig. 7. Relationship between etching rate and dopant profile(Boron/1e16atoms/cm2) A B C (Å ) 0 200 400 600 800 1000. 10.7717/peerjcs.71/fig-2
6E19.
6E21 31P_IMP Energy : 15keV 5E13atoms/cm 2 1E16atoms/cm 2 Depth Intensity(Arb. Units) 0 300 600 900 1200 1500 1800.
0.
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5.
0 Etching Rate Dopant Profile Depth Etching rate(Å /sec) 0 300 600 900 1200 1500 1800.
5.
0.
5.
0.
5 Etching rate Depth 1E16atoms/cm 2 5E13atoms/cm 2 Non-IMP (Å /sec) 0 300 600 900 1200 1500 1800.
5E18.
6E21 11B_IMP Energy : 15keV 5E13atoms/cm2 1E16atoms/cm2 Depth Intensity(Arb. Units) (Å) (Å /sec).

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