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NTIS 바로가기Diffusion and defect data. SSP. [Pt. B], Solid state phenomena, v.124/126, 2007년, pp.291 - 294
Wei, Che Hung , Chen, Yu Hung
The etching in SiO2 is a crucial step in fabricating thin film transistor. For large area etching, high density plasma which independently controls ion energy and ion flux is preferable than conventional RIE etcher for its high etching capability. In an attempt to understand how the bias power of N-...
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