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[해외논문] A fabrication method for high performance embedded DRAM of 0.18 μm generation and beyond

Custom Integrated Circuits Conference, 2000. CICC. Proceedings of the IEEE 2000, 2000, 2000년, pp.61 - 64  

Yoshida, T. (ULSI Device Eng. Lab., Toshiba Corp., Yokohama, Japan) ,  Takato, H. ,  Sakurai, T. ,  Kokubun, K. ,  Hiyama, K. ,  Nomachi, A. ,  Takasu, Y. ,  Kishida, M. ,  Ohtsuka, H. ,  Naruse, H. ,  Morimasa, Y. ,  Yanagiya, N. ,  Hashimoto, T. ,  Noguchi, T. ,  Miyamae, T. ,  Iwabuchi, N. ,  Tanaka, M. ,  Kumagai, J. ,  Ishiuchi, H.

Abstract

A new fabrication method for embedded DRAM of 0.18 μm generation is proposed, which realizes full compatibility with logic process such as Co salicide, dual work function gate, small thermal budget and metalization, and introduces Self-aligned Salicide Block (SSB), a new process technology. Fabricated embedded DRAM shows excellent characteristics with respect to both retention time and MOSFET AC/DC performance, promising high performance of SOC (System On a Chip) applications.

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