[논문]Retention time improvement by fast-pull and fast-cool (FPFC) ingot growing combined with proper arrangement of subsequent thermal budget for 0.18 μm DRAM cell and beyond

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[해외논문] Retention time improvement by fast-pull and fast-cool (FPFC) ingot growing combined with proper arrangement of subsequent thermal budget for 0.18 μm DRAM cell and beyond

VLSI Technology, 2001. Digest of Technical Papers. 2001 Symposium on, 2001, 2001년, pp.125 - 126

Kim Ilgweon (Memory R&) , Kwon Jaesoon (D Div., Hyundai Electron. Co. Ltd., Chungbuk, South Korea) , Lee Kyosung , Kim Dongchan , Shin Jungho , Choy Junho , Kim Namsung , Yang Heesik , Cheon Youngil , Park Juseok , Song Youngjin , Park Daeyoung , Kim Jibum

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The denudation scheme based on vacancy-assisted BMD (bulk micro defect) formation for reducing grown-in defects and the method of reducing STI-stress caused by denudation thermal budget was investigated to improve the retention time of high density DRAM with STI (shallow trench isolation). In this paper, we report the denudation scheme employing low-cost FPFC (fast-pull and fast-cool) ingot growth, combined with proper arrangement of subsequent thermal budget, resulting in excellent improvement of DRAM retention time.

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