[논문]PECVD를 이용한 Si<tex> $_3$</tex>N<tex> $_4$</tex> 박막의 공정변수에 따른 특성분석과 응용

신재완; 이복형; 이성대; 이일형; 윤관기; 전병철; 양성환; 이호준; 이진구

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[국내논문] PECVD를 이용한 Si $_3$N $_4$ 박막의 공정변수에 따른 특성분석과 응용
Analyses of Si $_3$N $_4$ thin film as parameters of the processes using PECVD for MMIC applications 원문보기

대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집, 1999 June 01, 1999년, pp.926 - 929

신재완 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) , 이복형 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) , 이성대 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) , 이일형 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) , 윤관기 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) , 전병철 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) , 양성환 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) , 이호준 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) , 이진구

Abstract ▼ AI-Helper

In this paper, we have studied the role of sources gases, SiH$_4$, NH$_3$ and $N_2$, to produce Si-N and Si-H bond in PECVD. The correlations of a deposition rate, a refractive index and a permitivity were investigated with the NH$_3$ flow rate of 6, 9 and 12 sccm, and SiH$_4$ flow rate of 20, 30 and 40 sccm, and substrate temperature of 150, 250 and 35$0^{\circ}C$. But the $N_2$ flow rate and chamber pressure were fixed at 55 sccm and 700mTorr. And then MIM capacitors were fabricated and tested for MMIC applications.

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[국내논문] PECVD를 이용한 Si $_3$N $_4$ 박막의 공정변수에 따른 특성분석과 응용
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