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NTIS 바로가기대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 G, 1998 July 20, 1998년, pp.2536 - 2538
이상우 (서울대학교 전기공학부) , 이상우 (서울대학교 전기공학부) , 김종팔 (서울대학교 전기공학부) , 박상준 (서울대학교 전기공학부) , 이상철 (서울대학교 전기공학부) , 김성운 (서울대학교 전기공학부) , 조동일 (서울대학교 전기공학부)
This paper investigates the residual stress of tetraethoxysilane (TEOS) and 7wt% phosphosilicate glass (PSG), which are commonly used as a sacrificial layer or etch mask in the fabrication of microelectromechanical systems (MEMS). In order to measure residual stress,
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