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NTIS 바로가기대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D, 1999 July 19, 1999년, pp.1931 - 1933
박정구 (광운대학교 전기공학과) , 홍능표 (광운대학교 전기공학과) , 이용우 (대덕대학 전기과) , 김왕곤 (서울산업대하교 전기공학과) , 홍진웅 (광운대학교 전기공학과)
In this paper, the current and voltage properties on the gate oxide film due to the variation of thickness are studied. The specimen is used for n-ch power MOSFET. It is shows the leakage current and current density characteristics due to the applied electric field when the oxide thickness is each <...
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