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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.10, 2016년, pp.595 - 600
강창수 (유한대학교 전자정보과) , 이재학 (청암대학교 소방안전관리과)
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In this paper, the oxide currents of thin silicon oxides is investigated. The oxide currents associated with the on time of applied voltage were used to measure the distribution of voltage stress induced traps in thin silicon oxide films. The stress induced leakage currents were due to the charging ...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 전압의 인가에 따라 인가 중과 인가 후에는 각 각 어떤 전류가 발생하는가? | 이와 같이 전압의 인가는 구동전압, 스트레스 전압을 만드는데 양 전압 관계는 인가 중에 발생하는 바이어스 전압에 의한 스트레스현상과 바이어스 전압 인가 후에 나타나는 전이현상이 있다. 전압의 인가에 따라 인가 중에는 구동 전류 혹은 스트레스 전류, 인가 후에는 전이전류가 발생된다. 스트레스 전압을 인가한 후에 전압을 인가하면서 측정하는 스트레스 유기 누설전류는 산화막 두께의 감소에 따라 증가된다 [2]. | |
| 산화막 전류는 어떤 현상에 의하여 나타나는가? | 구동전압, 스트레스 전압 인가에 따르는 스트레스 전류, 스트레스 유기 누설전류 그리고 전이전류는 소자의 동작 특성에 영향을 주며, 각각의 산화막 전류는 인가전압이 커짐에 따라 증가한다 [4]. 산화막 전류는 산화막과 산화막 계면에 유기된 캐리어의 트래핑과 디트래핑에 의한 터널링 현상에 의해 나타나며, 구동전압과 스트레스 전압의 극성에 의존하는 캐리어는 바이어스 전압에 따라 산화막의 음극 부근에 양전하, 양극 부근에 음전하를 트래핑 시키는데 역바이어스 전압은 산화막의 음극 부근에 음전하를, 양극 부근에 양전하를 트래핑시킨다 [5]. | |
| 얇은 실리콘 산화막의 감쇄를 수반하는 구동전압과 스트레스 전압은 어떤 인자에 의존하는가? | 트랩 발생은 TDDB (time dependence dielectric break down) 현상이 나타나며, 이러한 산화막 절연파괴는 열적현상에 기인하는 고누설 전류 통로가 형성되기 때문에 양극과 음극 사이에서 국부적으로 발생된다. 얇은 산화막의 감쇄를 수반하는 구동전압과 스트레스 전압은 전하 주입에 따른 계면상태의 전하밀도에 의존한다 [6]. 실리콘 산화막 계면에 트랩된 전하의 수는 스트레스 전압 인가 후 계면전하의 수 및 표면전위의 함수로 나타내며, 스트레스 전압 동안 실리콘 산화막 계면의 계면 트랩밀도는 전류량과 전계의 함수이다 [7]. |
S. Bruyere, E. Vincent, and G. Ghibaudo, Microelectron. Reliab., 39, 209-214 (1999). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2714(98)00207-8]
M. A. Belaid, A. M. Nahhas, M. Gares, K. Daoud, and O. Latry, Microelectron. J., 45, 1800-1805 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2014.06.002]
A. S. Spinelli, A. L. Lacaita, D. Minelli, and G. Ghidini, Microelectron. Reliab., 39, 215-219 (1999). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2714(98)00219-4]
P. Riess, G. Ghibaudo, and G. Pananakakis, Appl. Phys. Lett., 75, 3871-3873 (1999). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.125484]
B. Ricco and A. Pieracci, IEEE Trans. Electron Dev., 46, 1497-1500 (1999). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/16.772499]
E. Miranda, J. Sune, R. Rodriguez, M. Nafria, X. Aymerich, L. Fonseca, and F. Campabadal, IEEE Trans. Electron Dev., 47, 82-89 (2000). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/16.817571]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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