문제 정의

• . SiN mask는 다공질 실리콘층에 캐리어 주입읕 위한 오믹 전극을 제작하는데 문제가 있어, 본 논문에서는 Pt 박막을 mask로 사용해서 다공질 실리콘층과 캐리어 주입 전극을 동시에 형성하는 기숄을 개발하였다. Pt mask는 다공질 실리콘이 형성될 때 mask 가창자리 부분에서 전류 집중이 방지되어 다공질 실리콘이 일정한 깊이로 성장하며, 또 Pt를 증착한 후 RTP공정을 실시하면 오믹전극이 형성되어 다공질 실리콘에 캐리어 주입이 가능케 된다.
• 본 논문은 Pt를 웨이퍼 위에 증착한 후 습식 에칭과 Lift-off 공정으로 패터닝한 후 이를 mask로 사용하여 다공질 실리콘과 전극을 동시에 형성하는 기술을 보고한다. Pt mask는 공정을 단순화시킬 뿐만 아니라 다공질 실리콘이 형성될 때 기존(Si3N

  제안 방법

  •  그림 5은 본 논문에서 사용한 양극산화반응장치이다. n-형 실리콘을 양극산화반응하기 위해서 장치 윗부분으로부터 UV를 조사했다.
  • 같다. 기존에는 다공질 실리콘 형성시 3전곡법을 이용하여 정전류를 인가하였으나〔2), 본 논문에서는 2전극법을 사용하여 정전압을 인가하여 다공질 실리콘을 형성하였다. 그림 5은 본 논문에서 사용한 양극산화반응장치이다.
  • 4-inch 웨이퍼를 사용하였다. 먼저, 웨이퍼를 RCA 표준 세정법에 따라 세정한 후, Pt를 표 1과 같은 조건에서 스퍼터링하였다. 상온에서 실리콘 웨이퍼 위에 Pt를 증착하면 Pt 습식 에칭과 이방성 에칭시에 Pt 박막이 들뜨기 때문에 스퍼터링시 기판온도를 200℃로 가열하여 부착력을 향상시켰다.
  • 습식 에칭 공정은'Pt를 종착할 때 다공질 실리콘 형성 영역을 보호할 수 없으므로 그림 2와 같이 다공절 실리콘이 형성되지 않아 lift-off 공정을 적용하였다. 그림 8과 같이 Pt 박막 아래의 실리콘은 양극산화반응이 발생하지 않았고.
  • 이와 같이 습식 에칭 공정에서는 다공질 실리콘이 형성될 영역을 보호할 수 없으므로, lift-off공정을 적용하였다. Lift-off공정은 포토리지스트를 사용하기 때문에 100℃이하의 기판 온도에서 Pt를 증착해야만 Pt 패터닝이 가능하다.

  대상 데이터

  • l~20Qcm의 비저항을 갖는 양면이 폴리싱된 (100), n-형 4-inch 웨이퍼를 사용하였다. 먼저, 웨이퍼를 RCA 표준 세정법에 따라 세정한 후, Pt를 표 1과 같은 조건에서 스퍼터링하였다.
  • 다공질 실리콘을 형성핥 때 기픈의 Si3N₄. SiN mask는 다공질 실리콘층에 캐리어 주입읕 위한 오믹 전극을 제작하는데 문제가 있어, 본 논문에서는 Pt 박막을 mask로 사용해서 다공질 실리콘층과 캐리어 주입 전극을 동시에 형성하는 기숄을 개발하였다.

  이론/모형

  • Pt를 패터닝하기 위해 습식 에칭 공정과 Lift-off 공정을 사용하였다. Pt의 습식 에칭 조건은 표 2와 같다.