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NTIS 바로가기대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B, 1993 July 18, 1993년, pp.746 - 748
정용채 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과) , 김학성 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과) , 정재훈 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과) , 이병우 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과) , 조규형 (한국 과학 기술원 전기 및 전자공학과)
To overcome the problem of the diode reverse recovery in high switching frequency inverter, a new gate drive scheme is proposed for IGBT in this paper. Using this circuit, the reverse recovery current can be controlled and faster switching time can be achieved for hard switching inverter. The over-c...
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