최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C, 1997 July 21, 1997년, pp.1618 - 1620
김성룡 (아주대학교 전기전자공학부) , 양희윤 (아주대학교 전기전자공학부) , 최연익 (아주대학교 전기전자공학부)
A GaAs schottky diode with taper field plate is proposed to increase breakdown voltage. Breakdown voltage is calculated by device simulator MEDICI. The GaAs schottky diode with taper gate which has
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.