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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집, 1997 Nov. 01, 1997년, pp.102 - 105
강창수 (유한전문대학 전자과) , 이형옥 (오산전문대학 전자과) , 이성배 (광운대학교 전자재료공학과) , 서광일 (광운대학교 전자재료공학과)
The thickness dependence of stress voltage oxide currents has been measured in oxides with thicknesses between 10nm and 80nm. The oxide currents were shown to be composed of stress current and transient current. The stress current was caused by trap assited tunneling through the oxide. The transient...
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