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문제 정의
- 고전압 소자의 경우 사용 Si-웨이퍼의 저항률 분포가 전 범위에서 약 10% 정도의 편차를 가지며 또한 항복전압이 소자의 순방향 및 역방향 반복 최대전압 보다 10% 정도 여유를 두고 설계되므로 약 20% 정도의 전압 여유를 두고 설계해야 한다. 따라서 본 연구에서는 5.5kV급 소자의 정격을 만족시키기 위해서 6.5kV 정도의 애벌런치 항복전압을 얻기 위한 조건으로 설계되었다. 이때의 웨이퍼의 저항은 3002cm 이고 n-base 쪽으로의 공핍영역의 폭이 690 um정도가 필요하다.
- 끄러나 실험적인 방법으로 최적설계 하기에는 변수가 많기 때문에 시간과 비용이 많이 들고, 최적 설계가 되었는지도 판별하기가 어렵게 된다. 따라서 본 연구에서는 반도체 소자 시뮬레이터를 이용하여 사이리스터 소자의 특성을 예측하였다.
- 본 연구에서는 전력계통분야에서 직류직접전송 (HVTQC)에 전력변환 소자로 사용되는 고전압 사이리스터 소자를 제작하기 위해서 기본적인 특성을 얻기 위한 모델링을 수행하였다. 내전압 5.
- 본 연구에서는 조사 에너지가 12MeV이고 도즈량이 4 X 1012electrons/cm2^} 전자선을 조사하여 사이리스터 소자의 V™-Qrr 특성변화를 살펴보았다. 그림 6에 12MeV의 전자선을 5.
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