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NTIS 바로가기한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집, 2003 May 01, 2003년, pp.99 - 99
강민구 (고려대학교) , 진정근 (고려대학교) , 이재석 (고려대학교) , 오승석 (고려대학교) , 현진 (고려대학교) , 변동진 (고려대학교)
The growth of GaN on Si is of great interest due to the several advantages : low cost, large size and high-quality wafer availability as well as its matured technology. The crystal quality of GaN is known to be much influenced by the surface pretreatment of Si substrate[1]. In this work, the propert...
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