최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집, 2003 Nov. 01, 2003년, pp.165 - 165
강민구 (고려대학교 재료공학과) , 진정근 (고려대학교 재료공학과) , 이재석 (고려대학교 재료공학과) , 노대호 (고려대학교 재료공학과) , 양재웅 (대진대학교 신소재공학과) , 변동진 (고려대학교 재료공학과)
The growth of GaN on Si is of great interest due to the several advantages low cost, large size and high-quality wafer availability as well as its matured technology. The crystal quality of GaN is known to be much influenced by the surface pretreatment of Si substrate [1]. In this work, the properti...
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.