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[국내논문] 중성자 산란을 이용한 나노기공 측정 원문보기

한국결정학회 2002년도 정기총회 및 추계학술연구발표회, 2002 Nov. 01, 2002년, pp.51 - 51  

최성민 (한국과학기술원, 원자력 및 양자공학과) ,  이지환 (한국과학기술원, 원자력 및 양자공학과) ,  조성민 (한국과학기술원, 원자력 및 양자공학과)

초록
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나노기공물질은 특정 기반물질(matrix) 내부에 대략 나노미터크기의 기공을 함유하고 있는 물질이며 나노기공물질의 특성은 기반물질의 특성과 더불어 기공의 형태, 크기, 분포에 의해서 결정된다. 나노기공물질의 기공에 대한 정보를 측정하는 방법으로는 TEM, 흡착법, FE-SEM과 더불어 중성자 또는 X-ray 빔의 산란을 이용하는 소각중성자산란 (Small-Angle Neutron Scatering, SANS), 소각 X-ray 산란 (Small-Angle X-ray Scattering, SAXS), 중성자반사율측정 (Neutron Relfectimetry, NR), X-ray 반사율측정 (X-Ray Reflectometry, XRR) 등이 사용되고 있다. 본 발표는 대략 1 nm - 100 nm 영역의 bulk 구조와 층상구조를 측정할 수 있는 소각 중성자 산란과 중성자 반사율 측정기법을 이용한 나노기공 측정기술을 다룬다.

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