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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회논문집, 2001 Nov. 01, 2001년, pp.238 - 242
박승욱 (명지대학교 세라믹 공학과) , 강수창 (명지대학교 세라믹 공학과) , 박재영 (명지대학교 세라믹 공학과) , 신무환 (명지대학교 세라믹 공학과)
In this paper, the current-voltage characteristics of a 4H-SiC MESFET is simulated by using the Atlas Simulation tool. we are able to use the simulator to extract more information about the new material 4H-SiC, including the mobility, velocity-field Curve and the Schottky barrier height. We have ena...
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