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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9, 2008 June 19, 2008년, pp.131 - 131
Lee, Jae-Sang (Kwangwoon University) , Bahng, Wook (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) , Kim, Sang-Cheol (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) , Kim, Nam-Kyun (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) , Koo, Sang-Mo (Kwangwoon University)
Silicon carbide (SiC) has attracted significant attention for high frequency, high temperature and high power devices due to its superior properties such as the large band gap, high breakdown electric field, high saturation velocity and high thermal conductivity. We performed Al ion implantation pro...
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